HE05
铜大马士革抛光液
Cu Bulk Damascene CMP Slurry
用于大马士革（Damascene）工艺铜互连的CMP，高去除速率选择比，低缺陷，适用于BEOL铜布线平坦化。是先进逻辑芯片和存储芯片后道工艺中的关键材料。
Solutions for IC Slurry & Stripper
Cu Bulk Damascene CMP Slurry
用于大马士革（Damascene）工艺铜互连的CMP，高去除速率选择比，低缺陷，适用于BEOL铜布线平坦化。是先进逻辑芯片和存储芯片后道工艺中的关键材料。
| 参数项目 | Parameter | 规格 |
|---|---|---|
| 磨料类型 | Abrasive | SiO₂ |
| 磨料粒径 | Particle Size | 50~65 nm |
| pH | pH Value | 7~8 |
| 氧化剂 | Oxidizer | H₂O₂ 0.8~1.0% |
| 螯合剂 | Chelating Agent | Enhancer Cu removal |
| 腐蚀抑制剂 | Corrosion Inhibitor | Control dishing & erosion / Prevent corrosion |
| 杀菌剂 | Biocide | Prevent bio-growth |
大马士革工艺中铜布线层的平坦化，适用于多层金属互连。
7nm 及以下制程逻辑芯片后道铜互连 CMP。
多层金属布线结构中铜过孔和铜线的 CMP 工艺。
Cu 去除速率高，缩短工艺时间，提升产能。
腐蚀抑制剂配方优化，有效控制 Dishing 和 Erosion。
优异的缺陷控制能力，减少后道工艺不良率。
包含氧化剂、螯合剂、腐蚀抑制剂、杀菌剂等全功能组分。
