CE01
STI CeO2 抛光液
STI Shallow Trench Isolation Cerium Oxide Slurry
专为STI（Shallow Trench Isolation）浅槽隔离工艺设计，采用高性能CeO₂（二氧化铈）磨料，实现SiO₂与SiN之间优异的选择比，确保STI结构的精确平坦化。广泛应用于逻辑芯片、存储芯片等先进制程的前道工艺。
Solutions for IC Slurry & Stripper
STI Shallow Trench Isolation Cerium Oxide Slurry
专为STI（Shallow Trench Isolation）浅槽隔离工艺设计，采用高性能CeO₂（二氧化铈）磨料，实现SiO₂与SiN之间优异的选择比，确保STI结构的精确平坦化。广泛应用于逻辑芯片、存储芯片等先进制程的前道工艺。
| 参数项目 | Parameter | 规格 |
|---|---|---|
| 磨料类型 | Abrasive | CeO₂（二氧化铈） |
| 磨料粒径 | Particle Size | 纳米级 CeO₂ 粒径 |
| SiO₂/SiN 选择比 | Selectivity | 高选择比，满足 STI 要求 |
| SiO₂ 去除速率 | Removal Rate | 高去除速率，提升生产效率 |
| pH | pH Value | 中性配方，对设备友好 |
| 表面缺陷 | Defect | 低缺陷密度，优异表面质量 |
逻辑芯片制造中的关键隔离结构平坦化，确保晶体管之间的电学隔离性能。
DRAM/NAND Flash 等存储器件中浅槽隔离工艺的高精度平坦化处理。
适用于 28nm 及以下先进制程节点的前道工序 STI CMP 工艺。
SiO₂/SiN 选择比优异，精准控制 CMP 停止层，提升工艺窗口。
优化的 CeO₂ 磨料配方，SiO₂ 去除速率高，缩短工艺时间。
抛光后表面缺陷密度低，减少后道工艺的不良率。
与主流 CMP 设备兼容，可直接替换进口产品，降低客户切换成本。
