HB89
铜阻挡层抛光液
Cu Barrier (Ta/TaN) CMP Slurry
用于Ta/TaN等阻挡层材料的CMP去除，优异的Cu/Barrier选择比，确保在去除阻挡层的同时最大程度减少对铜的损伤。是铜大马士革工艺中不可或缺的关键材料。
Solutions for IC Slurry & Stripper
Cu Barrier (Ta/TaN) CMP Slurry
用于Ta/TaN等阻挡层材料的CMP去除，优异的Cu/Barrier选择比，确保在去除阻挡层的同时最大程度减少对铜的损伤。是铜大马士革工艺中不可或缺的关键材料。
| 参数项目 | Parameter | 规格 |
|---|---|---|
| 磨料类型 | Abrasive | SiO₂ |
| 目标材料 | Target | Ta / TaN 阻挡层 |
| Cu/Barrier 选择比 | Selectivity | 高选择比，最大程度保护铜线 |
| pH | pH Value | 弱酸性至中性 |
| 腐蚀抑制剂 | Corrosion Inhibitor | 防止铜腐蚀和凹陷 |
| 表面质量 | Surface Quality | 低缺陷、低刮伤 |
大马士革工艺中 Ta/TaN 阻挡层的精准 CMP 去除。
后道工序中铜布线与阻挡层的一体化 CMP 方案。
适用于 14nm 及以下先进制程节点的阻挡层 CMP。
Cu/Barrier 选择比优异，有效保护已形成的铜互连结构。
腐蚀抑制剂配方精密调控，最大程度降低铜凹陷。
阻挡层去除速率高，缩短 CMP 工艺时间。
可与 HE05 铜抛光液配套使用，形成完整的铜 CMP 方案。
