SX01
氧化硅抛光液
Oxide CMP Slurry
用于STI、ILD等氧化硅介质层的平坦化工艺，具有高去除速率和优异的表面质量。适用于逻辑芯片和存储芯片制造中的多层介质层平坦化处理。
Solutions for IC Slurry & Stripper
Oxide CMP Slurry
用于STI、ILD等氧化硅介质层的平坦化工艺，具有高去除速率和优异的表面质量。适用于逻辑芯片和存储芯片制造中的多层介质层平坦化处理。
| 参数项目 | Parameter | 规格 |
|---|---|---|
| 磨料类型 | Abrasive | SiO₂（二氧化硅） |
| 磨料粒径 | Particle Size | 50~65 nm |
| pH | pH Value | 7~8 |
| 去除速率 | Removal Rate | 高去除速率，提升生产效率 |
| 表面质量 | Surface Quality | 低划痕，优异的表面平整度 |
浅槽隔离结构中氧化硅介质层的高精度平坦化。
多层金属互连之间的层间介质层平坦化。
DRAM/NAND Flash 中氧化硅介质层的 CMP 工艺。
优化粒径分布，实现高效率氧化硅去除。
抛光后表面低划痕、低缺陷，满足先进制程要求。
与主流 CMP 设备和工艺条件兼容，切换成本低。
严格的质量管控体系，确保批次间性能一致。
