Solutions for IC Slurry & Stripper
W Bulk (Tungsten Plug/Via) CMP Slurry
用于钨插塞(W Plug)和钨通孔的CMP工艺,具有优异的W/SiO₂选择比,实现高精度钨去除,满足接触孔和通孔的平坦化需求。广泛应用于逻辑芯片和存储芯片的互连工艺。
| 参数项目 | Parameter | 规格 |
|---|---|---|
| 磨料类型 | Abrasive | SiO₂ |
| 目标材料 | Target | 钨 (W) / 氧化硅 (SiO₂) |
| W/SiO₂ 选择比 | Selectivity | 高选择比,精确控制钨去除终点 |
| pH | pH Value | 弱酸性至中性 |
| 氧化剂 | Oxidizer | 含钨氧化活性组分 |
| 表面质量 | Surface Quality | 低腐蚀、低缺陷 |
接触孔中钨插塞的 CMP 平坦化,实现可靠的层间电学连接。
多层互连中钨通孔的高精度 CMP 去除。
DRAM 等存储芯片中钨接触结构的平坦化。
W/SiO₂ 选择比优异,精准控制 CMP 停止层。
对介质层和下层结构腐蚀低,保护器件可靠性。
晶圆内 W 去除均匀性优异,确保接触电阻一致。
覆盖接触孔和通孔等多种钨 CMP 应用场景。