光刻胶剥离液
Photoresist Stripper
光刻胶剥离液是芯片制造中光刻胶去除的关键材料。光刻是芯片制造中实现电路图案转移的核心介质，决定了芯片的精细度与结构。使用高性能剥离液彻底清除残留物，如同"隐形手术刀"，确保晶圆表面绝对洁净。产品贯穿光刻后清洗、蚀刻后清洗、离子注入后清洗、封装前清洗等全流程。
Solutions for IC Slurry & Stripper
Photoresist Stripper
光刻胶剥离液是芯片制造中光刻胶去除的关键材料。光刻是芯片制造中实现电路图案转移的核心介质，决定了芯片的精细度与结构。使用高性能剥离液彻底清除残留物，如同"隐形手术刀"，确保晶圆表面绝对洁净。产品贯穿光刻后清洗、蚀刻后清洗、离子注入后清洗、封装前清洗等全流程。
| 参数项目 | Parameter | 规格 |
|---|---|---|
| 产品类型 | Type | 有机胺基 / 溶剂型 |
| 适用胶型 | Compatible PR | 正性光刻胶 / 负性光刻胶 / 离子注入胶 |
| 工作温度 | Operating Temp. | 75°C ~ 90°C |
| 清洗方式 | Process | 热浸泡 / 喷淋 / 单片清洗 |
| 环保等级 | Environmental | 中性配方，低气味，符合环保要求 |
| 兼容性 | Compatibility | 对金属（Cu/Al/W）和介质层（SiO₂/SiN）无损伤 |
有效去除晶圆边缘的光刻胶堆积，确保光刻图案边缘轮廓清晰，防止后续工艺缺陷。
清除侧壁和底部的聚合物残留物，消除蚀刻过程中产生的微掩膜效应，保证刻蚀精度。
破除因高温和高能注入导致碳化交联形成的坚硬"硬壳层"，实现彻底的表面净化。
在 TSV（硅通孔）工艺中高效剥离临时键合胶，满足先进封装对界面洁净度的严苛要求。
将晶圆置于 75-90°C 的剥离液溶液中，时间依胶层厚度调整。
转移至漂洗槽，使用超纯水或异丙醇多次冲洗去除残留。
采用高纯氮气吹干或旋转甩干，确保表面无残留水渍。
快速、彻底去除各类光刻胶，剥离率高。
对金属和介质层无损伤，兼容性优异。
性能稳定，批次间差异小，确保工艺一致性。
中性配方，低气味，操作安全，符合环保要求。
多种成分科学复配，兼顾高效剥离与基底金属保护。
