PS01
多晶硅抛光液
Poly-Si and Oxide Films CMP Slurry
针对多晶硅栅极和氧化硅薄膜的CMP工艺，可实现Poly-Si与SiO₂的高选择比抛光，满足栅极平坦化需求。适用于逻辑芯片制造中栅极结构的精密平坦化处理。
Solutions for IC Slurry & Stripper
Poly-Si and Oxide Films CMP Slurry
针对多晶硅栅极和氧化硅薄膜的CMP工艺，可实现Poly-Si与SiO₂的高选择比抛光，满足栅极平坦化需求。适用于逻辑芯片制造中栅极结构的精密平坦化处理。
| 参数项目 | Parameter | 规格 |
|---|---|---|
| 磨料类型 | Abrasive | SiO₂（二氧化硅） |
| 目标材料 | Target | 多晶硅 (Poly-Si) / 氧化硅 (SiO₂) |
| Poly-Si/SiO₂ 选择比 | Selectivity | 高选择比，精确控制停止层 |
| pH | pH Value | 碱性配方，优化多晶硅去除 |
| 表面质量 | Surface Quality | 低缺陷，均匀的去除速率 |
逻辑芯片中多晶硅栅极结构的高精度 CMP 平坦化。
实现多晶硅与氧化硅之间的高选择比去除。
适用于先进制程节点的栅极平坦化工艺。
Poly-Si/SiO₂ 选择比优异，精确控制工艺终点。
晶圆内和晶圆间去除速率均匀，确保器件性能一致。
抛光后表面缺陷密度低，减少器件失效风险。
配方稳定性好，长时间使用性能不衰减。
